Beschreibung
Technische Daten
RAM-Speicher: 4 GB
Speicherlayout (Module x Grösse): 1 x 4 GB
Interner Speichertyp: DDR3L
Speichertaktfrequenz: 1600 MHz
Komponente für: Notebook
Memory Formfaktor: 204-pin SO-DIMM
Gepufferter Speichertyp: Unregistered (unbuffered)
CAS Latenz: 11
Breite der Speicherschnittstelle: 64 Bit
Speicherspannung: 1.35,1.5 V
Modulkonfiguration: 512M X 64
Row Cycle Time: 48,125 ns
Refresh Row Cycle Time: 260 ns
Row Active Time: 35 ns
Bleiüberzug: Gold
Chiporganisation: X8
Ursprungsland: Taiwan
Bus Taktrate: 1600 MHz
Speicherlayout: 1 x 4096 MB
RAM-Speicher: 4096 MB
Betriebstemperatur: 0 – 85 °C
Temperaturbereich bei Lagerung: -55 – 100 °C
Breite: 67,6 mm
Höhe: 30 mm
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