Samsung

Samsung P9 Express microSDXC Express 512GB Bianco

512 GB di capacità di archiviazione, microSDXC Express (PCIe/NVMe), Lettura fino a 800 MB/s, Scrittura fino a 310 MB/s, U3 V30 A1 Class 10

La scheda di memoria Samsung microSDXC Express P9 Express offre 512 GB di capacità di archiviazione e utilizza l'interfaccia SD Express per velocità di trasferimento dati molto elevate. Grazie alla tecnologia PCIe e NVMe, è adatta a smartphone, tablet, action camera, droni, notebook e console di gioco.

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Descrizione

La P9 Express di Samsung è una scheda di memoria microSDXC da 512 GB che utilizza per la prima volta lo standard SD Express. Combinando PCIe Gen3.0x1 e NVMe 1.3, raggiunge velocità di lettura sequenziali fino a 800 MB/s, mentre può comunque essere letta tramite l'interfaccia classica UHS-I fino a 90 MB/s. La scrittura avviene a velocità fino a 310 MB/s, gli accessi casuali vengono raggiunti fino a 65.000 IOPS di lettura e 52.000 IOPS di scrittura. Il supporto Host Memory Buffer (HMB) assicura una gestione più efficiente del trasferimento dati.

Con le classificazioni U3, V30, A1 e Class 10, la scheda è progettata per la registrazione video fluida e le prestazioni delle applicazioni e si adatta ai dispositivi con slot microSDXC come smartphone, tablet, action camera, droni, notebook o console di gioco. Tollera temperature di funzionamento da 0 a 45 °C e temperature di archiviazione da -40 a 85 °C, è impermeabile fino a 1 m di profondità in acqua salata, resiste a campi magnetici fino a 15.000 Gauss e radiazioni X fino a 100 mGy. La durata è progettata per 10.000 cicli di inserimento e rimozione.

Specifiche

Generale
Colore Bianco
Numero articolo produttore MB-MK512T/WW
Paese di origine Cina, Filippine, Corea del Sud
Dati tecnici
Capacità di archiviazione 512 GB
Tipo di scheda di memoria microSDXC Express
Tipo NAND Samsung V-NAND TLC
Controllore SM2708
Interfaccia PCIe Gen3.0x1, NVMe 1.3, SD 7.1, UHS-I
Velocità di lettura sequenziale 800 MB/s
Velocità di lettura (UHS-I) 90 MB/s
Velocità di scrittura 310 MB/s
IOPS di lettura casuale 65000 IOPS
IOPS di scrittura casuale 52000 IOPS
Supporto HMB (Host Memory Buffer) Sì
Classe di velocità UHS U3
Classe di velocità video V30
Classe di prestazioni dell'applicazione A1
Classe scheda di memoria Class 10
Temperatura di funzionamento 0 a 45 °C
Temperatura di archiviazione -40 a 85 °C
Resistenza ai campi magnetici 15000 Gauss
Resistenza alle radiazioni X 100 mGy
Impermeabilità 1 m di profondità, 3% NaCl, 25°C
Durata (cicli di inserimento/rimozione) 10000
Compatibilità
Dispositivi compatibili Smartphone, Tablet, Action camera, Droni, Notebook, Console di gioco

Maggiori Informazioni

Maggiori Informazioni
Numero di parte del produttore MB-MK512T/WW
Velocità di scrittura 310 MB/s
Capacità di archiviazione 512 GB
Paese di origine Cina, Filippine, Corea del Sud
Tipo di scheda di memoria microSDXC Express
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