Samsung
Samsung P9 Express microSDXC Express 512 Go Blanc
512 Go de capacité de stockage, microSDXC Express (PCIe/NVMe), Lecture jusqu'à 800 Mo/s, Écriture jusqu'à 310 Mo/s, U3 V30 A1 Class 10
La carte mémoire Samsung microSDXC Express P9 Express offre 512 Go de capacité de stockage et utilise l'interface SD Express pour des débits de données très élevés. Grâce à la technologie PCIe et NVMe, elle convient aux smartphones, tablettes, caméras d'action, drones, ordinateurs portables et consoles de jeux.
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Description
La P9 Express de Samsung est une carte mémoire microSDXC de 512 Go utilisant pour la première fois la norme SD Express. En combinant PCIe Gen3.0x1 et NVMe 1.3, elle atteint des vitesses de lecture séquentielles jusqu'à 800 Mo/s, tandis qu'elle peut toujours être lue via l'interface classique UHS-I à jusqu'à 90 Mo/s. L'écriture se fait à jusqu'à 310 Mo/s, les accès aléatoires atteignent jusqu'à 65 000 IOPS en lecture et 52 000 IOPS en écriture. Le support du Host Memory Buffer (HMB) assure une gestion plus efficace du transfert de données.
Avec les classifications U3, V30, A1 et Class 10, la carte est conçue pour l'enregistrement vidéo fluide et les performances des applications et s'adapte aux appareils équipés d'un lecteur microSDXC comme les smartphones, tablettes, caméras d'action, drones, ordinateurs portables ou consoles de jeux. Elle tolère des températures de fonctionnement de 0 à 45 °C et de stockage de -40 à 85 °C, est étanche jusqu'à 1 m de profondeur en eau salée, résiste aux champs magnétiques jusqu'à 15 000 Gauss et aux rayons X jusqu'à 100 mGy. La durée de vie est conçue pour 10 000 cycles d'insertion et de retrait.
Spécifications
| Général | |
|---|---|
| Couleur | Blanc |
| Numéro d'article fabricant | MB-MK512T/WW |
| Pays d'origine | Chine, Philippines, Corée du Sud |
| Caractéristiques techniques | |
| Capacité de stockage | 512 GB |
| Type de carte mémoire | microSDXC Express |
| Type NAND | Samsung V-NAND TLC |
| Contrôleur | SM2708 |
| Interface | PCIe Gen3.0x1, NVMe 1.3, SD 7.1, UHS-I |
| Vitesse de lecture séquentielle | 800 MB/s |
| Vitesse de lecture (UHS-I) | 90 MB/s |
| Vitesse d'écriture | 310 MB/s |
| IOPS de lecture aléatoire | 65000 IOPS |
| IOPS d'écriture aléatoire | 52000 IOPS |
| Support HMB (Host Memory Buffer) | Oui |
| Classe de vitesse UHS | U3 |
| Classe de vitesse vidéo | V30 |
| Classe de performance d'application | A1 |
| Classe de carte mémoire | Class 10 |
| Température de fonctionnement | 0 à 45 °C |
| Température de stockage | -40 à 85 °C |
| Résistance aux champs magnétiques | 15000 Gauss |
| Résistance aux rayons X | 100 mGy |
| Étanchéité | 1 m de profondeur, 3% NaCl, 25°C |
| Durée de vie (cycles d'insertion/retrait) | 10000 |
| Compatibilité | |
| Appareils compatibles | Smartphones, Tablettes, Caméras d'action, Drones, Ordinateurs portables, Consoles de jeux |
Plus d’information
| Numéro de pièce du fabricant | MB-MK512T/WW |
|---|---|
| vitesse d'écriture | 310 MB/s |
| Capacité de stockage | 512 GB |
| Pays d'origine | Chine, Philippines, Corée du Sud |
| Type de carte mémoire | microSDXC Express |