Samsung microSD Express 256GB P9 Express
,P9 ExpressVerwendung: ,Kompatibel mit Geräten, die einen microSDXC™-Slot enthalten, einschließlich Mobiltelefonen, Tablets, Action-Kameras, Drohnen, Laptops, Spielkonsolen usw.Kapazität: 256 GBTyp NAND: ,Samsung V-NAND TLCController: SM2708Schnittstelle: ,PCIe Gen3.0x1, NVMe 1.3, SD 7.1, UHS-ILeistung:*Sequenzielles Lesen: bis zu 800 MB/s (SD Express) / 90 MB/s (UHS-I)*Zufälliges Lesen: bis zu 65.000 IOPS (SD Express)*Zufälliger Schreiben: bis zu 52.000 IOPS (SD Express)*Unterstützung HMB (Host Memory Buffer): ja*Geschwindigkeitsklassen: U3, V30, A1Betriebstemperatur: 0 – 45 °CLagertemperatur: -40 – 85 °CMagnetresistenz: 15.000 Gauss (30 s)Röntgenresistenz: 100 mGyWasserfestigkeit: 1 m Tiefe, 3 % NaCl, 25 °CFeuchtigkeitstest: 40 °C/93 %, 85 °C/85 %Lebensdauer: 10.000 Einstecken und AussteckenGarantie: Begrenzte 3-Jahres-Garantie (nicht gültig für normalen Verschleiß oder Wasserschaden)Abmessungen: ,15x11x1 mmGewicht: , 0.25g
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Beschreibung / Samsung microSD Express 256GB P9 Express
Verwendung: ,Kompatibel mit Geräten, die einen microSDXC™-Slot enthalten, einschließlich Mobiltelefonen, Tablets, Action-Kameras, Drohnen, Laptops, Spielkonsolen usw.
Kapazität: 256 GB
Typ NAND: ,Samsung V-NAND TLC
Controller: SM2708
Schnittstelle: ,PCIe Gen3.0x1, NVMe 1.3, SD 7.1, UHS-I
Leistung:*
Sequenzielles Lesen: bis zu 800 MB/s (SD Express) / 90 MB/s (UHS-I)*
Zufälliges Lesen: bis zu 65.000 IOPS (SD Express)*
Zufälliger Schreiben: bis zu 52.000 IOPS (SD Express)*
Unterstützung HMB (Host Memory Buffer): ja*
Geschwindigkeitsklassen: U3, V30, A1
Betriebstemperatur: 0 – 45 °C
Lagertemperatur: -40 – 85 °C
Magnetresistenz: 15.000 Gauss (30 s)
Röntgenresistenz: 100 mGy
Wasserfestigkeit: 1 m Tiefe, 3 % NaCl, 25 °C
Feuchtigkeitstest: 40 °C/93 %, 85 °C/85 %
Lebensdauer: 10.000 Einstecken und Ausstecken
Garantie: Begrenzte 3-Jahres-Garantie (nicht gültig für normalen Verschleiß oder Wasserschaden)
Abmessungen: ,15x11x1 mm
Gewicht: , 0.25g